汽车暗电流怎么测

1、准备一个万用表 ，现在更推荐使用电流钳
，因为它可以在不拆线的情况下进行测量 。设置万用表：将万用表调到直流电流档，建议从较大的档位（如20A）开始 ，以确保安全
。也有说法是将万用表拧到电阻档（如200欧姆），短接红黑表笔
，确保显示的数值在1欧姆以下，越低越好。或者将万用表打到测量电压档 ，用于后续可能的电压测量 。

2 、断开电瓶负极
，负极和负极线接上万用表正负表笔，关闭所有用电器锁闭车门 ，使用电流档测量最小电流就是漏电电流。

3
、电路接触不良
，比如搭铁线与车身接触不良、表笔接线柱有锈蚀等；电流表不通电，可以用干电池来检查 ，或者量程选择过大；汽车确实没有安装音响 、防盗器、时钟等耗电设备就不会有暗电流
。

4
、准备测量：打开要测量漏电车辆的机盖
，关闭车上所有用电设备，并用遥控锁车。连接万用表：拆下电瓶负极 ，将调好的万用表红表笔与车身搭铁线相连
，黑表笔与电瓶负极桩头相连 。读取数值：等待30秒后，读取万用表上的数值
。汽车上的暗电流在50毫安以下为正常 ，若大于50毫安，则表明存在漏电故障。

5、等待约30秒后
，读取万用表的数值 。正常情况下，暗电流应在50毫安以下
。如果读数大于50毫安 ，则说明汽车可能存在漏电故障。此时
，应进一步检查漏电设施，找出并排除故障 。需要注意的是 ，在进行汽车漏电测量时
，应确保车辆已经停放一段时间，以便电瓶有足够的放电时间
。

6 、正常情况下 ，暗电流应在30 - 50mA左右。若显示的数值超过50mA
，则说明车辆存在漏电问题 。在测量过程中，首先从20A的档位开始测试 ，当显示的数值小于200mA时
，再转而使用更小的档位进行测量
。在将万用表切换至200mA档位后，要确保红表笔已插入mA插孔。

集成电路暗电流测试 ***

1
、集成电路暗电流测试 *** 如下：非在线测量非在线测量潮在集成电路未焊入电路时 ，通过测量其各引脚之间的直流电阻值与已知正常同型号集成电路各引脚之间的直流电阻值进行对比，以确定其是否正常 。在线测量在线测量法是利用电压测量法、电阻测量法及电流测量法等
，通过在电路上测量集成电路的各引脚电压值 、电阻值和电流值是否正常，来判断该集成电路是否损坏。

2
、如图8：当光电三极管VT1接收到红外发光二极管射来的红外光线时、VT1导通 ，比较器IC2-B的反相输入端⑥脚为低电平
，⑦脚输出高电平，加到比较器IC2-A的反相输入端 ，使①脚输出低电平
，则光电耦合器4N35内的发光管点亮，对应的光敏管导通 ，三极管VT2也导通
，VT2集电极输出低电平
。

3 、比较法：直观检测取下可能存在问题的光耦，用万用表测量其内部二极管（正向电阻/）和三极管（反向电阻/）。将数值与正常状态下的引脚电阻值进行对比 ，如果差异明显
，那么光耦可能已损坏 。 数字万用表的精密诊断以EL817为例，通过数字万用表检测
。

4
、碳化硅：碳化硅是一种宽禁带半导体材料 ，具有高击穿电场、高热导率等优良特性。这使得碳化硅在高压 、高温等恶劣环境下仍能保持良好的性能，因此在功率电子器件中有广泛应用 。磷化铟：磷化铟也是一种化合物半导体材料
，主要用于光电子器件和高速集成电路
。

光敏二极管的暗电流测试 ***

光敏二极管的暗电流非常小，是1uA数量级 ，直接测量不容易测准。还要求在暗处测量
，不能见光 。做一个固定放大倍数的运放电路，把暗电流转化为电压 ，间接测量
。要把整个电路包起来
，不见光，把电压测量线引出。

光敏二极管是在反向电压作用之下工作的 。没有光照时 ，反向电流很小（一般小于0.1微安）
，称为暗电流
。当有光照时，携带能量的光子进入PN结后 ，把能量传给共价键上的束缚电子
，使部分电子挣脱共价键，从而产生电子---空穴对 ，称为光生载流子。

如果不知道光敏二极管的正负极，可用测量普通二极管正
、负极的办法来确定
，当测正向咆阻时，黑表笔接的就是光敏二极管的正极 。

什么是暗电流 、如何观测暗电流?

1、光电管在没有受到光照时 ，也会产生电流
，称为暗电流。它是由阴极在常温下的热电子发射形成的热电流和封闭在暗盒里的光电管在外加电压下因管子阴极和阳极间绝缘电阻漏电而产生的漏电流两部分组成
。如何观察暗电流：连接好光电管暗盒与测量放大器之间的屏蔽电缆
、地线和阳极电源线。适当选取电压与电流的量程 。在无光照的条件下，测得不同电压下所对应的暗电流
。

2、暗电流是测量过程中的一种干扰因素 ，它会使得仪器在没有光源的情况下也产生信号
，从而影响测量的准确性。为了消除这种干扰，可以在样品池中放入一个与比色皿大小相匹配的黑色挡板 ，这个挡板可以有效地阻挡任何可能的光线
，进而消除暗电流对测量结果的影响 。

3 、暗电流是物理学中用到的一个名词，表示在一定的发光电流影响下 ，光敏晶体管集电极输出电流
。实验中
，存在阳极光电效应所引起的反向电流和暗电流（即无光照射时的电流），测得的电流实际上是包括上述两种电流和由阴极光电效应所产生的正向电流三个部分 ，所以当反向电压加到一定值后，光电流会出现负值。

4
、暗电流是指在半导体中
，由于热激发作用而产生的微弱电流 。以下是关于暗电流的详细解释：产生原理：在P型硅衬底等半导体材料中，热激发作用会使少数载流子的数量微弱地增加
。这个过程产生的电流即为暗电流 ，它与温度之间存在微妙的联系。

5、光电探测器的暗电流是指在没有光照条件下产生的电流 。以下是对暗电流的详细解析：暗电流的定义与本质暗电流本质上是光电探测器在没有光输入时所产生的电流
。这种电流的存在是探测器内部物理过程的一种体现
，与光照条件下的光电流形成鲜明对比。

6 、暗电流：爱因斯坦方程是在绝对零度下严格成立的 。常温实验时，电极要发射少量热电子 ，加上管壳和管座的漏电构成光电流。观察 *** ：不予光电管光照
，调节电压，读出电流的示数即为该电压下的漏电流
。

光电探测器的暗电流

光电探测器的暗电流是指在没有光照条件下产生的电流。以下是对暗电流的详细解析：暗电流的定义与本质暗电流本质上是光电探测器在没有光输入时所产生的电流 。这种电流的存在是探测器内部物理过程的一种体现 ，与光照条件下的光电流形成鲜明对比
。暗电流的来源暗电流主要由两部分组成：热噪声电流和漏电流。

温度影响
、杂质和缺陷 。温度影响：光电探测器的暗电流通常会受到温度的影响
。当温度较高时
，材料中的载流子（例如电子或空穴）会增加，从而导致暗电流增大。温度影响：光电探测器的暗电流会受到温度的影响 。当温度较高时 ，材料中的载流子（例如电子或空穴）会增加
，从而导致暗电流增大
。

如果电池片做成组件时，电池片的正负极被接反 ，或者组件被加上反偏电压时，由于电池片的暗电流过大
，电流叠加后会迅速地将电池片击穿，不过这样的情况很少发生 ，所以测试暗电流在这方面作用不是很大。其次
，监控工艺 。当电池片工艺流程结束后，可以通过测试暗电流来观察可能出现的工艺问题
。

光电流和暗电流：光电流是在入射光照射下探测器产生的电流 ，而暗电流则是在没有光入射的情况下探测器存在的漏电流。暗电流的大小影响着探测器的灵敏度 。噪声：光电探测器的噪声主要包括暗电流噪声、散粒噪声和热噪声等。噪声的存在会降低探测器的信噪比
，从而影响其性能
。

硅基锗光电探测器有两种标准方向：横向（水平）和垂直。横向方向可以避开硅-锗界面，但需要较高的偏置电压；而垂直方向则允许较低的偏置电压 ，但暗电流可能较大 。在设计时
，需要权衡这些因素以满足特定应用需求
。

怎样测量光电管的暗电流?

1 、连接好光电管暗盒与测量放大器之间的屏蔽电缆
、地线和阳极电源线。适当选取电压与电流的量程 。在无光照的条件下，测得不同电压下所对应的暗电流
。

2、观察 *** ：不予光电管光照 ，调节电压
，读出电流的示数即为该电压下的漏电流。

3 、实验中，存在阳极光电效应所引起的反向电流和暗电流（即无光照射时的电流） ，测得的电流实际上是包括上述两种电流和由阴极光电效应所产生的正向电流三个部分，所以当反向电压加到一定值后
，光电流会出现负值 。

4
、光电耦合器的输出特性是指在一定的发光电流IF下，光敏管所加偏置电压VCE与输出电流IC之间的关系 ，当IF=0时
，发光二极管不发光，此时的光敏晶体管集电极输出电流称为暗电流 ，一般很小
。

5、准备。用光窗盖分别盖住光电暗盒的进光窗口和光源的出光窗口
，接通光源的电源开关预热20分钟；2 连线 。将普朗克常量测量仪与光电管暗盒之间的导线连接好，调整光源与光电管距离为30厘米；3 测量光电管暗电流
。

6 、其次 ，光电管即使没有光照
，在外加电压下也会有微弱电流通过，称为光电管的暗电流。产生暗电流的主要原因是极间绝缘电阻漏电（包括管座及玻璃壳内外表面的漏电）和阴极在常温下的热电子发射 ，暗电流与加电压基本上成线性关系 。